BSZ033NE2LS5ATMA1

功能描述:MOSFET N-CH 25V 18A 8SON

制造商:infineon technologies

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),40A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1230pF @ 12V

功率 - 最大值:2.1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3)

标准包装:5,000

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